Die in Verstärkern eingesetzten MOS-FETs (sog. Power MOS-FETs) weisen keine nenneswert kürzere Latenz als bipolare Transistoren auf, da durch die Parallelisierung mehrerer MOS-FETs die Schaltkapazität deutlich ansteigt, was zu Lasten der Latenz geht. Der wesentliche Vorteil von MOS-FETs gegenüber bipolaren Transistoren ist die deutlich linearere Kennlinie.Der Pabst hat geschrieben:- Kann mir jemand in einfachen Worten erklären warum gerade MOS Feldeffekttransistoren verbaut werden? Nur aufgrund der geringen Latenzen/Schaltzeiten?
Da die Kennlinie deutlich linearer ist, hätte man mehr Freiheiten bei der Bestimmung des Gleichanteils. Ob das allerdings tatsächlich so ist, müßte jemand beantworten, der sich damit auskennt...- Hat dies irgendwelche Auswirkungen auf die Class A Leistungsverstärkerschaltung?
Vereinfacht gesagt kennen Transistoren drei Zustände: Sperrbetrieb, Normalbetrieb und Sättigung. Zur Verstärkung kann lediglich der schmale Bereich des Normalbetriebs genutzt werden, im Sperrbetrieb beträgt die Verstärkung wie bei der Sättigung 0.- Das mit dem Arbeitspunkt habe ich auch noch nicht so genau verstanden...
Die Stabilisierung des Arbeitspunktes erfolgt bei Class A durch den Gleichanteil, entfiele er, wäre auch die Stabilisierung nicht mehr gegeben..- Da der MOSFET im Ruhezustand ja als Dielektrikum funktioniert - also nicht leitend ist - herrscht dann trotzdem ein ständiger Ruhestrom in Class A? Kommt es desweiteren so überhaupt zu einer Wärmeentwicklung und ist dann eine Arbeitspunktstabilisierung überhaupt von Nöten?
In der Hoffnung keinen Bockmist verzapft zu haben,
Keita
